UP简历小U

+86 13800138000|upjianli.xiaou@example.com|上海

个人总结

具备扎实的半导体物理及工艺基础，专注于光刻工艺优化与缺陷控制。在光刻工艺实习期间，通过精细化参数调整和数据分析，成功将硅片报废率降低了<strong>15%</strong>，展现出卓越的问题解决能力和工艺改进潜力。熟悉半导体制造流程，渴望在半导体工艺工程师岗位上持续学习与创新，为提升产品良率和性能贡献力量。

工作经历

光刻工艺工程师实习生

中芯国际

2024-03 - 2024-09

在12英寸晶圆厂光刻工艺部门实习，负责协助工程师进行工艺参数的监控、调整与优化。
主导参与一项光刻缺陷分析与良率提升项目，针对特定批次硅片出现的边缘缺陷问题，通过详细的数据分析和实验设计，识别出曝光能量与显影时间参数不匹配是主要原因。
通过正交实验法系统调整曝光能量、显影液浓度及显影时间等关键参数，并利用SEM、CD-SEM对光刻图形进行精确测量与评估。
最终提出并实施了一套优化的参数调整方案，成功将该批次硅片的报废率从8%降低至不足3%，良率提升了5%以上，为公司节约了约30万元的生产成本。
协助完成新工艺的导入与验证，参与光刻胶选型测试，优化了涂胶和烘烤工艺，将光刻胶涂布均匀性提升了10%。
熟练运用SPC（统计过程控制）工具进行数据分析，并定期提交工艺报告，确保工艺稳定性。

项目经历

基于EUV光刻技术的图形转移仿真与优化

清华大学微电子所

2023-09 - 2024-02

项目背景：随着集成电路特征尺寸不断缩小，EUV光刻技术成为实现更小线宽的关键，但其图形转移过程复杂，存在各种光学邻近效应（OPE）。
个人职责：作为核心成员，负责使用Sentaurus TCAD及MATLAB进行EUV光刻图形转移过程的仿真与分析，重点研究不同掩膜版结构和曝光参数对图形保真度的影响。
关键行动：建立了EUV光刻物理模型，模拟了不同线宽和间距的图形在EUV曝光下的响应，并在此基础上设计了多种OPC（光学邻近效应校正）方案。
项目成果：通过仿真验证，优化后的掩膜版设计和曝光参数显著改善了图形的线宽均匀性，误差降低了12%，并有效减少了热点（Hot Spot）的出现概率20%，为EUV光刻工艺的实际应用提供了理论指导和数据支持。

半导体薄膜沉积工艺参数对晶体质量影响研究

复旦大学材料科学系

2020-09 - 2021-06

项目背景：半导体薄膜的晶体质量直接影响器件性能，而沉积工艺参数是关键因素。
个人职责：独立负责PECVD设备的薄膜沉积实验，并使用XRD、SEM等表征设备分析薄膜的晶体结构和表面形貌。
关键行动：系统性地调整了PECVD的RF功率、反应气体流量和衬底温度等参数，制备了一系列SiNx薄膜样品。
项目成果：通过数据分析，发现适中的RF功率和衬底温度能显著提高薄膜的结晶度，降低缺陷密度15%，并撰写了高质量的实验报告，相关研究成果被国际会议录用。