小柚

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个人总结

微电子学与固体电子学博士,专注于射频放电物理机制与等离子体源设计。熟练掌握电磁场数值仿真及量子化学计算方法,具备从理论建模到工艺验证的全流程经验。在刻蚀均匀性优化及薄膜沉积速率提升方面有实质性研究成果,致力于解决半导体制造中的核心工艺难题。

工作经历

射频工艺研发实习生

北方华创

2024-07 - 2024-12
  • 针对12英寸刻蚀机台进行射频电源匹配调试,通过调整匹配网络电容参数,将反射功率从15%降低至3%以内,显著提升了工艺稳定性。
  • 利用Langmuir探针诊断等离子体参数,分析电子温度与密度分布,协助资深工程师优化了气体流量配比,使刻蚀速率均匀性由±8%改善至±4%。
  • 编写Python脚本自动化处理每日约200组实验数据,将数据分析耗时从人工的4小时缩短至30分钟。

初级射频工程师

中微公司

2026-07 - 至今
  • 负责新一代CCP刻蚀设备的射频系统调试,解决高频干扰问题,确保设备在量产环境下的 uptime 达到95%以上。
  • 协同工艺团队进行新客户Demo验证,针对特定介质材料优化偏压功率设置,成功通过客户验收并签订首批订单。

项目经历

基于ICP源的深硅刻蚀均匀性优化研究

电子科技大学微电子技术实验室

2023-03 - 2025-05
  • 建立三维电磁场 - 流体耦合仿真模型,模拟不同线圈构型下的等离子体分布,成功预测了边缘效应导致的刻蚀非均匀区域。
  • 提出一种新型双频驱动方案,通过独立控制离子能量与通量,在保持高刻蚀速率(>2μm/min)的同时,将侧壁粗糙度降低了35%。
  • 主导搭建实验验证平台,完成超过50次晶圆级测试,实验结果与仿真误差控制在10%以内,相关成果发表于《Plasma Sources Science and Technology》。

原子层沉积(ALD)前驱体反应机理的量子化学计算

电子科技大学计算材料中心

2022-09 - 2023-08
  • 运用DFT(密度泛函理论)计算含氟前驱体在硅表面的吸附能与反应势垒,揭示了温度对表面覆盖度的影响机制。
  • 筛选出三种低活化能的反应路径,为实验组选择更高效的脉冲序列提供了理论依据,最终使薄膜生长速率提升了18%。
  • 构建包含200+个结构的基础数据库,不仅服务于本课题组,还被合作企业用于初步筛选新材料,减少了约30%的试错成本。

教育背景

电子科技大学

博士 · 微电子学与固体电子学

2022-09 - 2026-06

西安电子科技大学

硕士 · 电磁场与微波技术

2019-09 - 2022-06

西安电子科技大学

本科 · 电子信息工程

2015-09 - 2019-06

技能专长

仿真与计算

COMSOL Multiphysics · HFSS · CST Studio · Gaussian · VASP

等离子体技术

ICP/CCP源设计 · Langmuir探针诊断 · OES光谱分析 · 射频匹配网络

编程语言

Python (NumPy/SciPy) · MATLAB · C++ · Linux Shell

半导体工艺

干法刻蚀 · 薄膜沉积 (PVD/CVD/ALD) · 洁净室操作 · SEM/TEM表征

简历范文专家2026/7/10

射频与等离子体工程师简历范文(半导体/电子校招)

射频与等离子体工程师 半导体/电子 应届生

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突出等离子体仿真与射频放电原理项目经验
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适用人群

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